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HBM5

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  • 三星稱,降低堆疊的高度是采用混合鍵合的主因,內存高度限制在775微米內,在這高度中須封裝17個芯片(即一個基底芯片和16個核心芯片),因此縮小芯片間的間隙,是內存大廠必須克服的問題。