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GaN

GaN最新資訊，投資界全方位播報GaN相關話題,全面解讀GaN投資、融資、并購等動態。

  • GaN作為第三代寬禁帶半導體核心材料之一，具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優良特性，是制作寬波譜、高功率、高效率光電子、電力電子和微電子的理想材料。

  • 未來，隨著研究不斷深入、技術突破，垂直型GaN器件市場將迎來廣闊發展前景。在這個過程中，國內外廠商都在勵兵秣馬，力爭在這個競爭激烈的市場尋到自己的一片天空。

  • GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數以億計的此類設備，其中許多每天運行數小時，因此節省的能源將是巨大的。

  • 在以便攜性為核心競爭優勢的充電器市場，GaN的高頻特性可以更有效的提升產品功率密度，因此是更優的選擇。兩大半導體材料最后究竟市場需求如何，目前尚未分出勝負。

  • 以SiC、GaN為代表的第三代半導體材料逐漸嶄露頭角，憑借其高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能，展現巨大的市場前景，正成為全球半導體市場爭奪的焦點。